MEO軌道輻射環(huán)境對Si太陽電池影響研究

研究MEO軌道Si太陽電池在軌性能衰減規(guī)律,為太陽陣設計提供參考依據(jù).利用位移損傷劑量的方法,研究了電子輻照對Si太陽電池性能參數(shù)的影響,并分析了MEO軌道(高度20,000 km, 傾角56°)的電子和質子輻射環(huán)境,及其穿過不同厚度的石英玻璃蓋片后的衰減譜.研究發(fā)現(xiàn),在沒有玻璃蓋片的情況下,MEO軌道一年期質子通量會造成電池最大輸出功率嚴重衰退,約為初始值的28%,而一年期電子通量影響很小,僅造成約7%的下降.使用100μm的石英玻璃蓋片幾乎可以完全阻擋MEO軌道質子輻射的影響,但是對電子輻射的阻擋作用很小.石英玻璃蓋片對于屏蔽低能質子對電池輻照損傷是極其重要的.

作 者： 高欣 楊生勝 王云飛 馮展祖 李凱 GAO Xin YANG Sheng-sheng WANG Yun-fei FENG Zhan-zu LI Kai   作者單位： 真空低溫技術與物理國家級重點實驗室,中國空間技術研究院蘭州物理研究所,蘭州,730000  刊 名： 宇航學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ASTRONAUTICS  年，卷(期)： 2010 31(3)  分類號： V520.6  關鍵詞： 非電離能損   位移損傷劑量   太陽電池   MEO   NIEL   Displacement damage dose   Solar cell   MEO  

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